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本文研究了NMOS晶体管低能X射线辐照后氧化物陷阱电荷的产生、界面态的性质及空穴陷阱的退火特性等问题。实验结果表明,电离辐照产生的界面态具有施主性和受主性,而氧化物陷阱电荷引起的电压变化在退火过程中,随外加偏置电场极性的不同,表现出可逆性,它对晶体管阈值电压的变化起着决定性的作用。
低能X射线对NMOST的辐照损伤及退火特性
【摘 要】
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本文研究了NMOS晶体管低能X射线辐照后氧化物陷阱电荷的产生、界面态的性质及空穴陷阱的退火特性等问题。实验结果表明,电离辐照产生的界面态具有施主性和受主性,而氧化物陷
【机 构】
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骊山微电子公司,骊山微电子公司
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1990年1期
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