P-RAP法生长金属卤化物晶体的纯化处理

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P-RAP 法生长金属卤化物晶体,其反应气氛处理分为两个阶段来进行的,一个阶段是在低温时原料未熔化前呈粉未颗粒状,杂质多分布在颗粒表面,比表面积大,反应气氛处理非常有效,另一阶段反应气氛处理和 RAP 法相同,是熔态的纯化处理。这里主要是选择 RAP剂,例如 CCl_4只用在700℃—900℃的纯化处理,如果再加入 CO_2,则能用于500℃的纯化处理。 P-RAP growth of metal halide crystals, the reaction atmosphere is divided into two stages to deal with, one stage is low temperature when the raw material is not melted before the powder particles, impurities are distributed in the particle surface, the specific surface area, The reaction atmosphere is very effective. In the other stage, the reaction atmosphere is the same as the RAP method and is a melt purification treatment. The main choice here RAP agent, for example, CCl_4 only 700 ℃ -900 ℃ for purification, if you add CO_2, then can be used for 500 ℃ purification.
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