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在室温、10Pa氩气环境下，采用脉冲激光烧蚀（PLA）技术，通过改变激光能量密度，在烧蚀点正下方、与烧蚀羽辉轴线平行放置的衬底上沉积制备了一系列纳米Si晶薄膜。采用SEM、Raman散射谱和XRD对纳米Si晶薄膜进行了表征。结果表明：沉积在衬底上的纳米Si晶粒分布在距靶一定的范围内，晶粒尺寸随与靶面距离的增加先增大后减小；随着激光能量密度的增加，晶粒在衬底上的沉积范围双向展宽，但沉积所得最大晶粒尺寸基本保持不变，只是沉积位置随激光能量密度的增加相应后移。结合流体力学模型、成核分区模型和热动力学方程，通过模