【摘 要】
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为了提高钴互连集成电路钴膜化学机械平坦化（CMP）中钴的去除速率以及Co/TiN去除速率选择性，研究了氨基三甲叉膦酸（ATMP）作为络合剂，在钴互连集成电路钴膜CMP中的作用机理。通过CMP、电化学、X射线电子光谱等实验探究了ATMP的络合性能，采用X射线电子光谱以及密度泛函理论的建模仿真对ATMP在抛光液中的络合机理进行了深入分析。实验结果表明：ATMP的添加不同程度地加快了钴和氮化钛腐蚀，可以
【基金项目】
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国家自然科学基金重大专项（2016ZX02301003-004-007）； 河北省自然科学基金（F2020202067）；
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为了提高钴互连集成电路钴膜化学机械平坦化（CMP）中钴的去除速率以及Co/TiN去除速率选择性，研究了氨基三甲叉膦酸（ATMP）作为络合剂，在钴互连集成电路钴膜CMP中的作用机理。通过CMP、电化学、X射线电子光谱等实验探究了ATMP的络合性能，采用X射线电子光谱以及密度泛函理论的建模仿真对ATMP在抛光液中的络合机理进行了深入分析。实验结果表明：ATMP的添加不同程度地加快了钴和氮化钛腐蚀，可以有效地提高钴互连集成电路钴膜CMP的去除速率以及Co/TiN去除速率选择性；X射线电子光谱实验显示ATMP的络合作用可以降低钴表面氧化层的厚度；根据密度泛函理论计算结果可以发现，ATMP中的磷酸基团为活性位点，与晶圆表面金属离子形成络合物，从而实现快速去除。可见ATMP可以作为络合剂应用于钴布线钴膜CMP制程。
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