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采用反应磁控溅射工艺分别制备掺杂Ti、Mo、Ni、V的WOx薄膜，研究了掺杂对其电致变色性能的影响机理。实验结果表明，适量的掺杂可以提高薄膜的电致变色性能，Mo的掺杂可以调节光谱吸收范围，Ni、V的掺杂可以提高记忆存储能力，Ti的掺杂可以延长循环寿命；磁控溅射制备的掺杂WOx薄膜均为非晶态。
磁控溅射WOx-Ti（Mo，Ni，V）薄膜的电致变色性能
【摘 要】
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采用反应磁控溅射工艺分别制备掺杂Ti、Mo、Ni、V的WOx薄膜，研究了掺杂对其电致变色性能的影响机理。实验结果表明，适量的掺杂可以提高薄膜的电致变色性能，Mo的掺杂可以调节光谱
【机 构】
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重庆大学材料科学与工程学院
【出 处】
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材料导报
【发表日期】
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2007年4期
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