电弧放电制备碳化硅纳米棒

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用电弧放电法制备了碳化硅(SiC)纳米棒。将摩尔分数为50%C,25%SiO2和25%Si粉末充分混合,填入已在中心钻孔的石墨棒中,作电弧放电阳极,水冷铜块作阴极,腔内充66.5kPa氩气,放电电流为80A。分析放电后沉积在腔内壁的粉末,高分辨率透射电镜照片表明:粉末中有结晶良好的SiC纳米棒,直径约10-20nm,长径比为10以上,并且纳米棒头部缀有金属纳米粒子。X射线衍射分析表明:粉体中主相为β-SiC,有少量Cu,Raman光谱中775cm^-1有1个尖锐峰。分析认为,少量阴极材料Cu被电弧蒸发作为
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