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通过将a-Ge∶H/a-SiNx多层膜进行氧化,制备了nc-Ge/SiNx多层膜。观察到了室温下的强烈可见光发射,发光波长为500nm。通过分析,排除了与量子限制效应有关的光发射机制,也排除了与Si和N相关的缺陷产生的复合机制,认为该发光源于氧化后的a-SiNx介质层中带尾态之间的辐射复合,最有效的激发能量约为介质层的带隙。