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1、产品及其简介rn本工艺技术平台以国际主流0.18微米CMOS工艺为目标,与世界先进的FOUNDRY工艺相匹配,并有很强的兼容性,可兼容RF CMOS、高压CMOS、Flash等各类主流产品工艺模块.其技术特征为:双工作电压(1.8伏和3.3伏)、1层多晶6层铝布线;可选嵌入式SRAM,多晶电阻、MIM电容等模拟信号器件.工艺特点有:248 nm光刻和OPC、PSM掩模板技术、浅沟槽隔离技术、双栅氧双栅极、自对准钴硅化物接触工艺等.