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利用选择外延技术研制了1.5μmDFB激光器和自对准模斑转换器单片集成器件,激光器的上限制层与垂直方向上楔型波导的模斑转换器同时选择性生长,这样的方法不仅可以分别优化有源区和模斑转换器的材料。同时可以降低选择性生长对接结构的难度,所研制集成器件的阈值为4.4mA,在49.5mA下的输出功率为10.1mW,边模抑制比为33.2dB,垂直方向和水平方向上的远场发散角分别为9°和15°,1dB偏调容差分别为3.6μm和3.4μm。