Ge0.6Si0.4/Si应变超晶格光电探测器中的光场分析

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首次对Ge0.6Si0./Si应变超晶格光探测器中的光场分布进行了分析和研究,发现这种应变超晶格在总厚度L=340nm的情况下,周期数M≥15.5才能传输单模光波,另外,还计算了Ge0.6Si0.4/Si应变超晶格表面及一定距离后的光场分布,发现光在其中传播500μm后已衰减到很小。这些结果对器件的设计具有重要的意义。
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