【摘 要】
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在较低衬底温度下,通过磁控溅射得到的非晶态Ta2O5薄膜,在氧气氛750℃条件下进行化学热退火,得到晶化的Ta2O2薄膜,其相对介电常数为34.3,漏电流密度小于10-TA/cm^2。电容量测试时,为
【基金项目】
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江西省教育厅科技计划资助项目(编号:GJJ08318,赣教技字[2006]203号
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在较低衬底温度下,通过磁控溅射得到的非晶态Ta2O5薄膜,在氧气氛750℃条件下进行化学热退火,得到晶化的Ta2O2薄膜,其相对介电常数为34.3,漏电流密度小于10-TA/cm^2。电容量测试时,为了较好地消除高温退火时产生的SiO2的介质层对电容测试值的影响,用不同厚度氧化钽薄膜为介质层做成金属-绝缘体-金属(MIM)结构的电容器,对这些电容器的电容测试数据,进行Sigmoidal拟合,得到极限电容,从而计算出Ta2O5薄膜的介电常数。
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