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本文分析了用各向异性腐蚀剂EPW制备硅尖端发射阴极的凸角腐蚀问题,指出正方形膜沿【110】方向腐蚀出的尖端顶部侧面并非{111}面,而是{212}面.提出正方掩膜沿【210】方向对准的新方法.这种对准方法无凸角腐蚀、光刻工艺容易实现.
硅各向异性腐蚀制备尖端发射阴极的凸角补偿
【摘 要】
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本文分析了用各向异性腐蚀剂EPW制备硅尖端发射阴极的凸角腐蚀问题,指出正方形膜沿【110】方向腐蚀出的尖端顶部侧面并非{111}面,而是{212}面.提出正方掩膜沿【210】方向对准
【机 构】
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东南大学微电子中心,东南大学微电子中心
【出 处】
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云南大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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1992年S1期
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