自对准AlGaAs/GaAs微波异质结双极晶体管(HBT)

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:geolin1965
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本文提出了一种制作HBT采用的垂直台面结构自对准工艺.利用该工艺及对A1GaAs/GaAs具有高选择比的化学湿法腐蚀剂,已研制成微波HBT.发射区台面与基极电极间隙为0.1μm,最大直流电流增益为40,截止频率f_T为10GHz.
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