【摘 要】
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主要研究了不同的反应离子刻蚀条件 (氧基工作气体、刻蚀功率、工作气压等 )下所获得的不同刻蚀效果。当以O2 /CHF3 作为工作气体时 ,在一定的工艺条件下实现了高深宽比 (深
【机 构】
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主要研究了不同的反应离子刻蚀条件 (氧基工作气体、刻蚀功率、工作气压等 )下所获得的不同刻蚀效果。当以O2 /CHF3 作为工作气体时 ,在一定的工艺条件下实现了高深宽比 (深度 2 3μm ,深宽比 >7)、侧壁陡直光滑、底面平整光滑的刻蚀效果 ;同时还观察到随着CHF3 浓度的增加 ,侧壁形状经历了外倾、垂直、内倾的变化规律。利用CF2 钝化膜保护模型可很好解释这一现象。
Mainly studied the different etching conditions of reactive ion etching (oxygen working gas, etching power, working pressure, etc.) obtained under different etching effect. When O2 / CHF3 is used as the working gas, the etching effect of high aspect ratio (depth 23 μm, aspect ratio> 7), steep and smooth side wall and smooth bottom surface is achieved under a certain process condition; meanwhile, With the increase of CHF3 concentration, the shape of the side wall underwent changes of camber, vertical and lean. The use of CF2 passivation film protection model can explain this phenomenon.
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