【摘 要】
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研究了氢退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷（Voids)的影响，样品在1050－1200℃范围进行氢退火，退火前后样品上的流水花样缺陷（FPD）和晶体原生粒子（COP）在腐蚀后分别用微分干涉光学显
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 0 0 3 2 0 10 )~~
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研究了氢退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷（Voids)的影响，样品在1050－1200℃范围进行氢退火，退火前后样品上的流水花样缺陷（FPD）和晶体原生粒子（COP）在腐蚀后分别用微分干涉光学显微镜和激光记数器进行观察，实验结果表明在氢退火以后，FPD缺陷的密度随温度升高不变，而样品上的COP密度大量减少，分析可知，氢气退火仅仅消除了硅片表面的Voids，而对于硅片体内的Voids不产生影响，并在实验的基础上，讨论了氢退火消除Voids的机理。
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