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将能量为45keV的Ce离子注入到Si单晶中,研究硅化铈摹离子束合成及其室温光致发光特性,透射电观察表明在单 晶硅的表面形成厚100nm的Ce离子注入层,选区电子衍射和X射线衍射分析表明注入层内形成了CeSi2,CeSi2的结晶程度随注入剂量的增加而逐渐完善,用远紫外光激发得到了室温蓝紫色PL谱,以红光(650-700nm)激发,则上转换蓝光和紫光发射的效率较高,其发光特性比较稳定,蓝光和紫光受激