将能量为45keV的Ce离子注入到Si单晶片中，研究硅化铈薄膜的离子束合成及其室温光致发光特性．透射电镜观察表明在单晶硅的表面形成厚1......

将能量为４５ｋｅＶ的Ｃｅ离子注入到Ｓｉ单晶中，研究硅化铈摹离子束合成及其室温光致发光特性，透射电观察表明在单 晶硅的表面形成厚１００ｎｍ的Ｃｅ离子注入层，选区......