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介绍了硅研磨片清洗的重要性,分析了影响硅研磨片质量的主要因素,即金属杂质和各种污染物。重点分析了硅研磨片表面沾污的原因,并且通过大量的实验分析得到了活性剂和碱性清洗液、去离子水的最佳体积比是0.20∶1.00∶10.0,清洗的最佳时间为3 m in~5 m in和最佳温度范围为40℃~50℃。
硅研磨片超声波清洗技术的研究
【摘 要】
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介绍了硅研磨片清洗的重要性,分析了影响硅研磨片质量的主要因素,即金属杂质和各种污染物。重点分析了硅研磨片表面沾污的原因,并且通过大量的实验分析得到了活性剂和碱性清
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
【出 处】
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电子工艺技术
【发表日期】
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2006年04期
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