切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
期刊论文
铍离子注入锑化铟快速热退火的背散射沟道分析
铍离子注入锑化铟快速热退火的背散射沟道分析
来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiaoxz
【摘 要】
:
本文借助背散射沟道分析技术系统地研究了Be离子注入InSb快速热退火后的剩余损伤,采用俄歇电子能谱仪分析了InSb表层组分的化学配比,并对背散射分析的结果进行了详细的讨论。
【作 者】
:
张廷庆
刘家璐
【机 构】
:
西安电子科技大学微电子研究所,西安电子科技大学微电子研究所710071,710071
【出 处】
:
固体电子学研究与进展
【发表日期】
:
1992年1期
【关键词】
:
离子注入
铍
热退火
背散射
Ion Implantation
Be
Rapid Thermal Annealing
InSb
Rutherford Backs
【基金项目】
:
中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室的部分资助
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文借助背散射沟道分析技术系统地研究了Be离子注入InSb快速热退火后的剩余损伤,采用俄歇电子能谱仪分析了InSb表层组分的化学配比,并对背散射分析的结果进行了详细的讨论。
其他文献
DUBAT负阻参数的推导和功率DUBAT的设计与研制
本文第一部分用较简单而不同于文献[1]的方法推导出双基区晶体管(DUBAT)有关的负阻参数,与实验结果符合良好;第二部分对功率型DUBAT进行了设计并初步制成这种器件。
期刊
三端负阻器件
负阻器件
单结晶体管
Three Terminal Negative Resistance Device
Negative Resistance
测定外延层电阻率的面接触方法研究
评论了美国科学家C.C.Allen等于1966年发表的“测定外延层电阻率的点接触方法”之论文的局限性,从而提出了本法文。本方法从理论上解一维Poisson方程并与C.C.Allen法的公式相比较,获得某些公式。文中导出面接
期刊
外延层
电阻率
点接触
硅
测量
Epitaxiai Layer Resistivity
Point Contact
Area Contact
基于分布式Q学习的Femtocell两层网络功率控制方法
随着下一代无线通信技术的发展,Femtocell的概念应运而生。Femtocell是一种可以改善室内覆盖的家庭基站,其主要致力于增加室内覆盖,改善系统性能,减少Macrocell网络通信负担
期刊
功率控制
FEMTOCELL
干扰
IQL
CQL
基于KNX总线的智能家居网关
智能家居网关是相关功能设备接入智能家居网络的关键设备。鉴于KNX已成为智能楼宇领域唯一的国际标准,综合网络通信技术和嵌入式技术,提出了基于KNX总线的智能家居网关设计方
期刊
智能家居
KNX总线
嵌入式系统
主控制器
网关
挑战传统控制系统的束缚
30年前,通用汽车公司对一个经过挑选的控制系统设计小组提出了一个问题,问题的解决方案将永久地改变工业控制的面貌。是什么问题呢?
期刊
控制系统
PLC
多任务处理
控制平台集成
Si—SiGe—Si异质结双极晶体管的数字模拟
报道了Si-SiGe-Si异质结双极晶体管的数字模拟结果。采用有限差分法解半导体器件的载流子输运方程,求出各点上的载流子浓度及其电位,由此可确定器件的直流特性。器件的发射区
期刊
异质结
数字模拟
双极晶体管
Heterojunction
Numerical Simulation
高温工作寿命试验技术研究
介绍了在高温(150℃以上)工作寿命试验中,采用陶瓷基板厚膜电路、元器件热压键合和高温导电胶粘接以及耐高温的防振荡吸收材料等措施,保证了直至225℃环境温度的试验正常进行
期刊
可靠性评价
厚膜电路
导电胶
Reliability Evaluation
Thick Film Circuit
Electronic Epoxy
薄片样品霍尔迁移率的无接触测试和计算
设计了一种微波介质波导探头用于无接触测量半导体薄片样品的霍尔迁移率。它具有体积小、被测薄片样品大小不受限制等优点。在直流磁场变化时,无接触测试了一组n型硅薄片样品
期刊
霍尔迁移率
微波
测量
半导体
薄片
Hall Mobility
Microwave
Dielectric Waveguide
Probe
Magnetic
双面抛光单晶硅片少子扩散长度的测量
本文改进了常规表面光电压测试少子扩散长度法,采用环形下电极消除了薄样品背面光电压信号对测量结果的影响;应用阻尼最小二乘法数据处理原理对实验数据进行“曲线拟合”,求
期刊
硅片
表面光电压法
少子扩散长度
InAs/InP0.7Sb0.3热电子晶体管实现室温工作可能性的讨论
<正>热电子晶体管(HET)是一种有希望的亚毫米波器件,缺点是必须低温工作。从本质上说,HET不能室温工作的关键在于r,L跃迁。因此,热电子能量E_k不能超过r,L能谷差E_('L),
期刊
热电子晶体管
室温
工作
微波器件
与本文相关的学术论文