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ＶＤＭＯＳ的开关时间对其开关功耗和频率特性有直接影响，笔者设计和制造了３种体内结构与常规ＶＤＭＯＳ相同，而表面结构不同的器件。实验结果表明，这种３结构器件的开关时间都明显减少。
功率VDMOS开关特性与结构关系
【摘 要】
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ＶＤＭＯＳ的开关时间对其开关功耗和频率特性有直接影响，笔者设计和制造了３种体内结构与常规ＶＤＭＯＳ相同，而表面结构不同的器件。实验结果表明，这种３结构器件的开关时间都明显减少。
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所
【出 处】
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西安电子科技大学学报
【发表日期】
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1998年1期
【基金项目】
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电科院基金
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