MOCVD实现InGaAsP波导对接生长的研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:huangcheng118
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采用低压MOCVD技术,通过对接界面和对接工艺的优化,获得了高质量的InGaAsP材料构成的对接波导,测量得到的对接波导光学损耗为7cm^-1,说明该技术可以用来制作高质量的光电子集成器件.
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