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文章以高纯Sb和Te为锑源和碲源，使用分子束外延（molecular beam epitaxy ，MBE）设备，在超高真空条件下外延生长拓扑绝缘体薄膜。通过XRD（X‐ray diffraction）、SEM （scanning electron microscope）等检测手段对薄膜样品进行物像和表面分析，研究了不同衬底温度、束流大小和束流比、生长时间等因素对薄膜质量的影响。