【摘 要】
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本专利提出一种以AlO_3膜作为栅电极绝缘体的MOS晶体管的制备方法,包括汽相淀积氧化物工艺,以及尔后在湿气气氛中于700℃左右热处理淀积膜。
This patent proposes a method
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本专利提出一种以AlO_3膜作为栅电极绝缘体的MOS晶体管的制备方法,包括汽相淀积氧化物工艺,以及尔后在湿气气氛中于700℃左右热处理淀积膜。
This patent proposes a method of manufacturing a MOS transistor having an AlO 3 film as a gate electrode insulator including a vapor deposition oxide process and thereafter heat treating the deposited film at about 700 ° C. in a moisture atmosphere.
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