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用Ｌ－Ｋ有效质量理论研究方向生长的（ＺｎＳｅ）ｎ／ＺｎＳ）ｍ应变层超晶格的电子结构和光吸收系数。结果表明，光吸收系数与阱宽和垒厚有关。
（ZnSe）n／（ZnS）m应变层超晶格的光吸收系数
【摘 要】
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用Ｌ－Ｋ有效质量理论研究方向生长的（ＺｎＳｅ）ｎ／ＺｎＳ）ｍ应变层超晶格的电子结构和光吸收系数。结果表明，光吸收系数与阱宽和垒厚有关。
【机 构】
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沈阳工业数理系
【出 处】
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吉林大学自然科学学报
【发表日期】
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1998年3期
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