亚带结构相关论文
用L-K有效质量理论研究[001]方向生长的(Znse)n/(ZnS)m应变层超晶格的电子结构和光吸收系数.结果表明,光吸收系数与附宽和垒厚有关.
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用Luttinger-kohn有效质量理论研究了「001」「方向生长的(ZnSe)n/(ZnS)m应变层超晶格的电子结构,并与前人的计算结果进行了比较。......
本文采用各项异性有效质量近似,加入局域密度泛函近似下的交换关联项,自治地计算了Si—nipi在室温时亚带结构随自由载流子浓度的变......
用L-K有效质量理论研究方向生长的(ZnSe)n/ZnS)m应变层超晶格的电子结构和光吸收系数。结果表明,光吸收系数与阱宽和垒厚有关。......
本文讨论了应变对越晶格(ZnSe)_n/(ZnS)_m在T点带边结构的影响,计算了带偏移:并在双量子阱近似下,用有效质量近似方法计算了应变层超晶格(ZnSe)_n/(ZnS)_m的亚带结构。......
本文由形变势理论研究了应变对超晶格(CdTe)n/(ZnTe)mГ点带边的影响计算了带偏移。在有效质量近似下,计算了对称的双量子阱中的亚带结构随阱宽与垒......