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采用 TMAH (Tetramethyl Ammonium Hydroxide) 腐蚀液在 P(100) 硅片上制备倒棱台, 进而采用电化学湿法刻蚀法制备具有微柱结构的阵列器件. 借鉴 N 型多孔硅的形成理论, 提出了微柱的形成模型, 分析了微柱的形成条件, 并对其主要的几何结构参数之间的关系进行了探讨. 结果表明微柱的形成与倒棱台的结构参数、 孔的结构参数以及空间电荷区等因素相关. 倒棱台的底面尺寸决定了微柱的结构, 且倒棱台开口的大小需要大于平均孔径. 微柱直径始终小于2 倍的空间电荷区宽度. 微柱内