电化学湿法腐蚀法制备硅微柱阵列

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【摘要】

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采用 TMAH （Tetramethyl Ammonium Hydroxide）腐蚀液在 P（100）硅片上制备倒棱台, 进而采用电化学湿法刻蚀法制备具有微柱结构的阵列器件. 借鉴 N 型多孔硅的形成理论, 提出了微

【作者】

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李鑫罗洁任丁

【机构】

：

四川大学原子核科学技术研究所

【出处】

：

电子元件与材料

【发表日期】

：

2018年11期

【关键词】

：

无机非金属材料硅微尖阵列倒棱台微柱形成模型 HF阳极电化学腐蚀 TMAH各向异性湿法腐蚀 inorganic non - metallic materia

【基金项目】

：

国家自然科学基金青年科学基金（11005076,11305029）

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采用 TMAH （Tetramethyl Ammonium Hydroxide）腐蚀液在 P（100）硅片上制备倒棱台, 进而采用电化学湿法刻蚀法制备具有微柱结构的阵列器件. 借鉴 N 型多孔硅的形成理论, 提出了微柱的形成模型, 分析了微柱的形成条件, 并对其主要的几何结构参数之间的关系进行了探讨. 结果表明微柱的形成与倒棱台的结构参数、孔的结构参数以及空间电荷区等因素相关. 倒棱台的底面尺寸决定了微柱的结构, 且倒棱台开口的大小需要大于平均孔径. 微柱直径始终小于2 倍的空间电荷区宽度. 微柱内

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