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设计了一种基于SOI衬底且由新型磁敏晶体管组成的磁敏测量电路。理论分析了n^＋-π-n^＋晶体管基区长度大于载流子有效扩散长度Leff时的磁灵敏度。该磁敏晶体管可应用于磁场的测量，实验结果表明在磁场B=0．1T时，这种新型结构给出高的磁灵敏度即△Ic/Ic≈20%，并且有很好的电控制特性。该磁敏晶体管的槽形复合区采用MEMS技术制造。