侧向外延生长GaN的结构特性(英文)

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fdsadadsa

【摘要】

：

研究了在刻有图形的GaN“衬底”上用HVPE方法侧向外延生长 (ELO)GaN的结构特性。在SiO2 衬底上侧向外延生长GaN已经实现 ,并得到了平面的ELOGaN薄膜。采用扫描电子显微镜、透

【作者】

：

张荣顾书林修向前卢殿清沈波施毅郑有炓 KUAN

【机构】

：

南京大学物理系,DepartmentofPhysics,StateUniversityofNewYorkatAlbany江苏南京210093,江苏南京210093,江苏

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2001年S1期

【关键词】

：

GAN 侧向外延生长氢化汽相外延 GaNELOHVPE

【基金项目】

：

国家“8 6 3”基金资助项目 ( 2 0 0 0 0 6 83),国家自然科学基金资助项目 ( 6 9976 0 14 ,6 96 36 0 10 ,6 980 6 0 0 6 ,6 99870 0 1)~~

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研究了在刻有图形的GaN“衬底”上用HVPE方法侧向外延生长 (ELO)GaN的结构特性。在SiO2 衬底上侧向外延生长GaN已经实现 ,并得到了平面的ELOGaN薄膜。采用扫描电子显微镜、透射电微镜和原子力显微镜技术研究了这种ELOGaN材料的结构和表面形貌。原子力显微镜图像表明 :在ELO范围中的4 μm2 面积上不存在明显的阶状形貌。透射电子显微镜的观测表明在ELO范围内位错密度很低。在接合的界面上没观察到有空隙存在。但观测到晶格的弯曲高达 3 3°,这被归因为由GaN层下的“籽层”和接合

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