【摘 要】
:
采用线形组合算符和幺正变换相结合的方法,求出了晶体中极化子与温度和耦合强度的依赖关系.根据依赖关系,讨论了4种不同情况,从中看出:当温度保持不变时,有效质量将随耦合强
论文部分内容阅读
采用线形组合算符和幺正变换相结合的方法,求出了晶体中极化子与温度和耦合强度的依赖关系.根据依赖关系,讨论了4种不同情况,从中看出:当温度保持不变时,有效质量将随耦合强度的增加而增加,这是由于随耦合强度的增大,电子-声子之间的相互作用增强,则极化子的有效质量增大.当耦合强度不变时,有效质量随温度的变化而变化,且耦合强度越大,受温度的影响越强.当接近弱耦合极限时,与温度无关.这是由于弱耦合极限下,电子近似为自由电子,与晶格振动无关,故温度的变化对慢速运动的极化子的有效质量无影响.
其他文献
采用高温固相反应合成了LaPO4∶Eu2+和LaPO4∶Ce3+,Eu2+样品,报道了Eu2+在LaPO4中的发光性质和Ce3+→Eu2+的能量传递现象.文中探讨了Ce3+→Eu2+的能量传递机理,根据Dexter电
生物组织的光学特性参数是与疾病的无损光诊断有关的重要的光学参数,一般的测量所应用的模型是假设生物组织为半无限厚的均匀结构.为了更能反映生物组织的真实特性,本文应用
采用一种新方法生长多层InGaN/GaN量子点,研究所生长样品的结构和光学特性.该方法采用了低温生长和钝化工艺,所以称之为钝化低温法.第一层InGaN量子点的尺寸平均宽度40nm,高
微波吸收无接触测量技术可以用于半导体粉体材料、微晶材料等研究光生载流子衰减过程.本文采用微波吸收法在室温下分别测量了ZnO纳米材料和微晶材料的光电子衰减过程.发现在
制备了铕配合物有机发光二极管(OLED),为了获得Eu(DBM)3bath的特征发射,在器件中引入BCP作为空穴阻挡层.通过引入交互叠层的TPD/m-MTDATA作为空穴传输层,与传统异质结器件相
用热丝化学气相沉积(HFCVD)法以CH4和SiH4作为反应气体在Si衬底上制备了纳米晶态6H-SiC.为减小6H-SiC与Si衬底之间的晶格失配,在HFCVD系统中通过对Si衬底表面碳化处理制备了
对掺有过饱和的镉、硒和少量硫的玻璃在500~800℃分别退火4h,生长了不同尺寸的CdSe1-xSx纳米晶体.测量了纳米晶体的室温吸收光谱和光致发光(PL)光谱,550℃生长的样品在300~800n
从电学的角度看,由于冷阴极荧光灯(Cold cathode fluorescent lamp,CCFL)具有十分复杂的阻抗特性,例如,灯管的阻抗几乎随工作电流的增加而减小,因此对其亮度进行调节也十分困
报道了纳米ZnO薄膜激子光致发光(PL)与温度的关系.首先利用低压-金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术生长ZnS薄膜,然后将ZnS薄膜在氧气中于800℃下热氧化2h获得纳米ZnO薄膜.X