GaAs/AlxGa1-xAs表面单量子阱原位光调制反射光谱研究

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【摘要】

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用分子束外延（MBE）方法生长了两种典型阱宽（5nm和10nm）的表面单量子阱，表面量子阱中的受限态被表面真空势垒和AlxGa1-xAs势垒束缚.以原位光调制光谱（PR）作为测量手段，明确观察到表面

【作者】

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缪中林陈平平陆卫徐文兰李志锋蔡炜颖史国良沈学础

【机构】

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中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

【出处】

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物理学报

【发表日期】

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2004年期

【关键词】

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表面量子阱(SQW) 原位光调制反射光谱(PR) 分子束外延(MBE)

【基金项目】

：

国家自然科学基金;

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用分子束外延（MBE）方法生长了两种典型阱宽（5nm和10nm）的表面单量子阱，表面量子阱中的受限态被表面真空势垒和AlxGa1-xAs势垒束缚.以原位光调制光谱（PR）作为测量手段，明确观察到表面量子阱中空穴子带到电子子带的光跃迁以及真空势垒对于不同阱宽表面量子阱中的受限电子态的束缚作用，并且看到了10nm表面量子阱激发态的跃迁峰.采用有效质量近似理论对实验结果作了较好的解释.

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