深亚微米工艺下互连线串扰问题的研究与进展

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cangzhe
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集成电路工艺发展到深亚微米技术后,互连线串扰问题变得越来越严重,尤其在千光赫兹的设计中,耦合电感的影响不能忽略。插入屏蔽的操作成为减小耦合电感噪声的有效方法。文中首先介绍共面、微带状线和带状线三种互连结构下的电感耦合特性,然后分别介绍了基于共面互连结构的用于计算互连线噪声的Keff模型和RLC精确噪声模型。实验表明两种模型都有很高的精确度,在解决互连线串扰的物理设计中有广泛的应用。
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