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本文利用直流反应磁控溅射技术，通过调节溅射功率于200℃、3％的氮分压条件在Al2O3基片上沉积了一系列TaN薄膜，并使用光刻工艺制备出相应的TaN薄膜电阻，研究了溅射功率对TaN薄膜电阻率、电阻温度系数（TCR）和功率容量的影响。实验结果表明：当溅射功率从200W增大到1000W，TaN薄膜电阻率逐渐减小，TCR绝对值从几百ppm／℃降为几十ppm／℃，功率容量呈现逐渐增大趋势。