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提出了在碱性抛光液中铝薄膜化学机械抛光的机理模型，对抛光液的pH值、磨料、氧化荆浓度对过程参数的影响做了一些试验分析。试验结果表面粗糙度的铝薄膜所需的最优化CMP过程参数：硅溶胶粒径为15-20nm，pH值为10.8-11．2，氧化荆浓度为2．5％-3％。
铝薄膜CMP影响因素分析
【摘 要】
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提出了在碱性抛光液中铝薄膜化学机械抛光的机理模型，对抛光液的pH值、磨料、氧化荆浓度对过程参数的影响做了一些试验分析。试验结果表面粗糙度的铝薄膜所需的最优化CMP过程
【机 构】
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河北工业大学微电子研究所
【出 处】
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微纳电子技术
【发表日期】
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2006年2期
【基金项目】
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天津市重点自然科学基金（043801211）
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