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利用硅胶吸附解吸臭氧原理自制了臭氧浓缩装置，通过此装置制备的高浓度臭氧作为分子束外延制备Bi系氧化物薄膜的氧化源．在臭氧浓缩装置中，硅胶温度保持在-85℃左右，工作6h，可获得浓度（摩尔分数）高于95％的臭氧．当臭氧浓缩装置中压强保持在1．3×10^3Pa，该臭氧浓度可维持5h以上．X射线衍射结果表明，制备的高浓度臭氧在高真空条件下可将Cu氧化成CuO，并以此为氧化源利用分子束外延在MgO（100）衬底上制备了较高质量的Bi2Sr2CuO6＋x和Bi2Sr2CaCu2O8＋x薄膜．