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报道了非直接接触、高分辨率的激光束诱导电流谱表征技术在检测半导体材料、器件工艺中的应用.研究结果表明：p型HgCdTe薄膜经硼离子注入后形成的n型区面积大于实际的离子注入区域;对不同注入剂量系列单元不同区域载流子扩散长度进行了提取,表明n区载流子扩散长度随硼离子注入剂量增加而减小.
HgCdTe器件中载流子扩散长度的硼离子注入效应研究
【摘 要】
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报道了非直接接触、高分辨率的激光束诱导电流谱表征技术在检测半导体材料、器件工艺中的应用.研究结果表明：p型HgCdTe薄膜经硼离子注入后形成的n型区面积大于实际的离子注入
【机 构】
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淮阴师范学院,中国科学院上海技术物理研究所
【出 处】
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光子学报
【发表日期】
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2007年4期
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