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脉冲测量技术越过高K材料电荷捕获的壁垒
脉冲测量技术越过高K材料电荷捕获的壁垒
来源 :集成电路应用 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiner1312
【摘 要】
:
由于高介电常数的栅电路结构在俘获电荷机制上存在负面影响,常规的直流量测技术已经捉襟见肘了。脉冲电流-电压量测技术能够彻底解决这一难题,从而得到高介电常数栅电路结构晶
【作 者】
:
Y. Zhao
C.D. Young
R. Choi
B.H
【机 构】
:
KeithleyInstrumentsInc.,Sematech
【出 处】
:
集成电路应用
【发表日期】
:
2006年6期
【关键词】
:
高K材料
测量技术
电荷
脉冲
高介电常数
电路结构
量测技术
电流-电压
晶体管
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由于高介电常数的栅电路结构在俘获电荷机制上存在负面影响,常规的直流量测技术已经捉襟见肘了。脉冲电流-电压量测技术能够彻底解决这一难题,从而得到高介电常数栅电路结构晶体管的本征电学表现。
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