富硅量不同的富硅氮化硅薄膜的光致发光研究

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【摘要】

：

采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD),在低衬底温度下制备了系列富硅量不同的富硅氮化硅薄膜,且所有样品分别经过不同温度的退火.通过X射线光电子能谱(XPS)的测试证实了

【作者】

：

王颖申德振张吉英刘益春张振中吕有明范希武

【机构】

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中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033东北师范大学,先进光电子功能材料研究中心,吉林,长春,130024;

【出处】

：

液晶与显示

【发表日期】

：

2005年2期

【关键词】

：

氮化硅薄膜光致发光 Si团簇量子限制效应

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采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD),在低衬底温度下制备了系列富硅量不同的富硅氮化硅薄膜,且所有样品分别经过不同温度的退火.通过X射线光电子能谱(XPS)的测试证实了薄膜中硅团簇的存在.对不同富硅量的氮化硅薄膜做了红外和光致发光的比较研究.由不同富硅量薄膜中硅团簇的尺寸变化对发光峰的影响,得出了发光来源于包埋于氮化硅薄膜中由于量子限制效应而使带隙增大了的硅团簇.

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