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采用ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ工艺制作１Ｍｓａｍｐｌｅ／ｓ８位Ａ／Ｄ转换器。该Ａ／Ｄ转换器采用半闪烁型结构，由两个４位全并行Ａ／Ｄ转换器实现８位转换。电路共有３１个比较器，采用斩波稳零型结构，具有结构简单和失调补偿功能。电路由２１００个器件组成，芯片面积为３．５３ｍｍ×３．０７ｍｍ。
一种1MS／s CMOS／SIMOX8位A／D转换器
【摘 要】
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采用ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ工艺制作１Ｍｓａｍｐｌｅ／ｓ８位Ａ／Ｄ转换器。该Ａ／Ｄ转换器采用半闪烁型结构，由两个４位全并行Ａ／Ｄ转换器实现８位转换。电路共有３１个比较器，采用斩波稳零型结构，具有结构简单和失调补偿功能。电路由２１００个器件组成，芯片
【机 构】
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信息产业部电子第二十四研究所,电子科技大学电子工程学院
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1999年6期
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