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通过采用微机电系统（MEMS）和微声电子方法，研究了硅基片上横膈膜结构薄膜体声波谐振器（FBAR）。器件的串联谐振频率fs=2．75GHz。并联谐振频率fp=2．8GHz，插入损耗IL=-3．7dB，并联谐振频率品质因子Qp=260，有效机电耦合系数Keff^2=4．5％。
2．8GHz薄膜体声波谐振器的研究
【摘 要】
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通过采用微机电系统（MEMS）和微声电子方法，研究了硅基片上横膈膜结构薄膜体声波谐振器（FBAR）。器件的串联谐振频率fs=2．75GHz。并联谐振频率fp=2．8GHz，插入损耗IL=-3．7dB，并联谐振频率
【机 构】
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四川压电与声光技术研究所
【出 处】
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压电与声光
【发表日期】
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2010年1期
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