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日本文部科学省(文科省)将于2016年度内启动名为“有助于实现节能社会的新一代半导体研究开发”的GaN功率器件开发项目。相关负责人表示,“这是文科省的第一个电子元器件项目”。该项目的核心力量是2014年诺贝尔物理学奖得主——名古屋大学的天野浩教授领导的研发小组。项目为期5年,第一年(2016年度)的预算为10亿日元。