【摘 要】
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本文介绍了在3时掺铬GaAs LEC衬底上制造的离子注入GaAs单片微波集成电路(MMIC)IF放大器(IFA)的可靠性试验结果。该试验是总计为13000小时、对200多个IFA实行的三个加速老练
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本文介绍了在3时掺铬GaAs LEC衬底上制造的离子注入GaAs单片微波集成电路(MMIC)IF放大器(IFA)的可靠性试验结果。该试验是总计为13000小时、对200多个IFA实行的三个加速老练试验和一个长期寿命试验。在125℃工作温度下,预计的失效率小于150非特。在激活能为1.9eV的情况下,失效前平均工作时间(MTTF)为10(?)小时。主要失效模式是IFA偏压电流和RF增益降额。初步失效分析表明,降额引起FET沟道电阻增大和跨导减小。
This article presents the reliability test results of an ion-implanted GaAs monolithic microwave integrated circuit (MMIC) IF amplifier fabricated on a 3-time chromium-doped GaAs LEC substrate. This test is a total of 13,000 hours, three accelerated expeditions and a long-term life test for more than 200 IFAs. At a 125 ° C operating temperature, the predicted failure rate is less than 150%. The mean before-failure working time (MTTF) is 10 (?) Hours at an activation energy of 1.9 eV. The main failure modes are IFA bias current and RF gain derating. Preliminary failure analysis shows that derating causes the FET channel resistance to increase and the transconductance to decrease.
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