【摘 要】
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为优化槽栅器件结构,提高槽栅MOSFET的性能和可靠性,文中用器件仿真软件对凹槽拐角对深亚微米槽栅PMOSFET的特性影响进行了研究.研究结果表明凹槽拐角强烈影响器件的特性:随
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所710071
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为优化槽栅器件结构,提高槽栅MOSFET的性能和可靠性,文中用器件仿真软件对凹槽拐角对深亚微米槽栅PMOSFET的特性影响进行了研究.研究结果表明凹槽拐角强烈影响器件的特性:随着凹槽拐角的增大,阈值电压上升,电流驱动能力提高,而热载流子效应大大减弱,抗热载流子性能增强,热载流子可靠性获得提高;但凹槽拐角过大时(例如90°),器件特性变化有所不同.
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