InGaAs／InAlAs多量子阱电吸收光调制器

来源 :高技术通讯 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yuesiyi

【摘要】

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在国内首次设计并制作了脊波导结构的Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ多量子阱电吸收型光调制器，并对它的工作特性进行了测试。在３．０Ｖ的驱动电压下实现了２０ｄＢ以上的消光比，光３ｄＢ带宽达到了３ＧＨｚ，对限制光调制器带宽的主要原因进

【作者】

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金峰蔡丽红

【机构】

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清华大学电子工程系,中国科学院物理研究所

【出处】

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高技术通讯

【发表日期】

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1997年6期

【关键词】

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光调制器电吸收多量子阱 INGAAS/INALAS Optical modulator Electro-absorption MQW InGaAs/I

【基金项目】

：

863计划资助

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在国内首次设计并制作了脊波导结构的Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ多量子阱电吸收型光调制器，并对它的工作特性进行了测试。在３．０Ｖ的驱动电压下实现了２０ｄＢ以上的消光比，光３ｄＢ带宽达到了３ＧＨｚ，对限制光调制器带宽的主要原因进行了分析，结果表明器件电容限制了带宽的提高，这主要是由于ＳｉＯ２刻蚀液的钻蚀导致ＳｉＯ２绝缘层厚度减小造成的。改进制作工艺可望大大改善调制器的工作

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