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采用丝网印刷的方法制备了PMS—PNN—PZT四元系压电厚膜陶瓷材料。研究了基板、下电极和PMS—PNN—PZT厚膜层三者之间的高温扩散作用，及SiO2缓冲层对PMS—PNN-PZT压电厚膜的压电性能以及显微结构的影响。用XRD和SEM分析材料的相组成、厚膜定位及压电层的显微结构。结果表明，缓冲层有效地阻止了三者之间的相互扩散，样品的d33、εr等都有所提高，所制得的压电厚膜d33为285pC／N，εr为1210，Qm为1330，kp为0．54。