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随着集成电路（ＩＣ）尺寸的缩小，集成度的提高，必须在设计阶段对其可靠性进行预测，文中在阐述了与ＩＣ可靠性密切相关的热载流子效应，时间决定的介质击穿效应，互连线电迁移效应，双极晶体管爱化效应及其模型后，给出了ＩＣ可靠性模拟的一般概念，方法和部分模拟结果。
集成电路的可靠性模型与模拟
【摘 要】
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随着集成电路（ＩＣ）尺寸的缩小，集成度的提高，必须在设计阶段对其可靠性进行预测，文中在阐述了与ＩＣ可靠性密切相关的热载流子效应，时间决定的介质击穿效应，互连线电迁移效应，双极晶体管爱化
【机 构】
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华晶集团中央研究所,东南大学微电子中心
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1996年2期
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