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提出了用反应动力学理论来研究半导体点缺陷的统计分布的理论，给出了N型半导体施主分布的Fermi公式，N型金属氧化物空位Vo^×，Vo^+,VO^++的浓度公式和吸附氧负离子浓度[O2^-],[O^-]的公式。提出一种用来研究有两次电离过程的N型金属氧化物Fermi能级变化范围的方法，给出Ed2-kTln2<EF<Ed1-kTlngd1的结果。讨论了在气敏晶体表面O^-的产生问题，给出O^-不可能在完整晶体表面产生的结论。