【摘 要】
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通过离子注入技术在铝中引入C，He两元素，并采用氦热脱附谱（THDS）研究了C掺杂对铝中氦行为的影响。注He纯铝的THDS中存在四个氦释放区间，分别归于小间隙环的解离、位错环的合并、位
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通过离子注入技术在铝中引入C，He两元素，并采用氦热脱附谱（THDS）研究了C掺杂对铝中氦行为的影响。注He纯铝的THDS中存在四个氦释放区间，分别归于小间隙环的解离、位错环的合并、位错环的皱缩及氦泡向样品表面的迁移。c掺杂后，铝中形成了高热稳定性的HenVmCx型复合物，造成样品中气体释放延迟。然而，随着c掺杂剂量的增加，THDS谱发生显著改变，低温区出现明显的释放峰，且C掺杂量越高，低温区的释放峰个数越多。
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