【摘 要】
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对polySi/SiO_2/Si结构上的共溅射 Ta +xSi 薄层未经退火处理在1000℃/30＇条件下进行直接湿氧氧化,经AES和X衍射检测分析,得知氧化后的结构为SiO_2/Ta_5Si_3/TaSi_2/PolySi/Si
【机 构】
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中国科学院微电子中心,中国科学院微电子中心 北京,北京
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对polySi/SiO_2/Si结构上的共溅射 Ta +xSi 薄层未经退火处理在1000℃/30＇条件下进行直接湿氧氧化,经AES和X衍射检测分析,得知氧化后的结构为SiO_2/Ta_5Si_3/TaSi_2/PolySi/SiO_2/Si,其中,Ta_5Si_3相为四角晶系,晶格常数为:α_0= 6.516A,c_0=11.873A.Ta_5Si_3相的出现,对多层结构的稳定性及电导特性有不利影响.从实验证实在较高温度下氧化Ta_5Si_3不会出现,如在1100℃/30＇条件下进行直接湿氧氧化,检测结果表明没有Ta_5Si_3相.已经形成的Ta_5Si_3在适当条件下经热处理会消失.
The co-sputtered Ta + xSi thin films on the polySi / SiO_2 / Si structure were directly oxidized by wet oxidation at 1000 ℃ / 30 ’without annealed. The structures of the as-deposited Ta + SiO_2 / Ta_5Si_3 / TaSi_2 / PolySi / SiO_2 / Si, in which the Ta_5Si_3 phase is tetragonal, with lattice constants of α_0 = 6.516A and c_0 = 11.873A.Ta_5Si_3 phases, the stability and conductivity The results show that Ta_5Si_3 does not appear at higher temperature, such as direct wet oxygen oxidation at 1100 ℃ / 30 ’, the results show that there is no Ta_5Si_3 phase.The Ta_5Si_3 has been formed under appropriate conditions Heat treatment will disappear.
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