湿氧氧化相关论文
利用各向同性腐蚀液制备了硅微尖阵列,并考察了各主要工艺参数对微尖形貌的影响
The silicon micro-tip array was prepared by i......
本文报道了一种简便有效的多孔硅（ＰＳ）后处理新方法，即在（ＮＨ４）２Ｓ／Ｃ２Ｈ５ＯＨ溶液中浸泡ＰＳ，并用紫外光辐照激发．后处理ＰＳ的光致发光（ＰＬ）强度约为未经处理的５倍；样品处理后......
表面光电压法(SPV)能精确测量硅片的Fe离子浓度,是一种快速、非破坏性的高灵敏度测试方法。采用表面光电压技术研究了氧化工艺中的......
采用前驱体浸渍裂解法(PIP)制备3D SiCf/SiBCN陶瓷基复合材料,探究复合材料在水氧耦合环境下(800℃-1200℃)的氧化行为。使用SEM和......
一、前言众所周知,硅一旦受到热氧化,晶体内部就会导入堆垛层错、位错环以及析出等晶格缺陷,而且这些缺陷能使器件变坏。因此,随......
对晶体完整性、Si-SiO_2界面、线性集成电路的有源寄生等问题进行了讨论。介绍了基于应力补偿等机理的完整晶体器件工艺(PCT)。指......
高压氧化系统正被人们用于高密度集成电路的生产中,以便在低温下获得快速氧化;商品化的系统可提供高达25个大气压的压力,这对湿氧......
实现了64位串行和4096位串一并一串型结构的CCD器件。以三氯乙烯(TCE)氧化1100埃加Si_3N_3300埃的夹层结构做存贮栅,以湿氧氧化加S......
本文叙述硅器件制造过程中,硅晶体中二次缺陷形成、生长和缩小的条件。实验指出:(1)用细致的化学腐蚀方法可有效地减少表面型氧化......
本文介绍用低压化学汽相淀积(LPCVD)技术生长的氮化硅膜的组份及其抗氧化能力的测定.我们研究了SiCl_4-NH_3体系淀积的氮化硅膜.采......
局部氧化工艺后热生长栅氧化膜上缺陷的密度强烈地依赖于局部氧化工艺的各种条件,尤其是场氧化的条件。为了减少或消除栅氧化膜上......
用一种简易高压水汽氧化装置进行了硅的氧化实验;测量了氧化速率和氧化膜质量。由此而制得的氧化膜已用于EGL100k系列电路的氧化物......
本文对P型(100)无位错硅晶片的热氧化堆垛层错长度生长和收缩规律进行了研究.给出层错长度、氧化时间,氧化温度之间的关系为L=kt~n......
本文讨论了硼在硅中的扩散运动对氧化层错生长和收缩动力学的影响.一方面,硼的扩散运动降低氧化层错的激活能,使层错的生长速度增......
本文介绍一种能提高基区硼杂质浓度R_(?)b均匀性的新方法.①传统工艺方法(下称方法①):基区硼扩散分两步,先进行硼予扩,在硅抛光片......
对polySi/SiO_2/Si结构上的共溅射 Ta +xSi 薄层未经退火处理在1000℃/30＇条件下进行直接湿氧氧化,经AES和X衍射检测分析,得知氧化......
本文着重研究双掺硅片热氧化后形成p-n结的结深规律.在理论上导出了p-n结的结深表达式:在一定的温度下,结深与氧化热处理时间的平......
本文研究中间退火处理对薄SiO_2膜电击穿特性和高频电容-电压特性的影响。结果表明,在温度θ=950～1100℃和时间t=0～90分钟范围内,薄S......
本文提出了一种低分压的湿-干氧氧化方法。利用该方法生长的薄氧化膜,具有比干氧氧化低的缺陷密度和优越的电击穿特性,而且固定电......
采用等离子体增强化学气相淀积 ( PECVD)法在 Si( 1 0 0 )衬底上淀积一层厚度约为1 70 nm的富 Ge高 C含量的 Si1- x- y Gex Cy 薄......
氧是直拉硅单晶中的最重要的杂质之一，控制硅中氧、氧沉淀的量及其分布以及氧沉淀的工艺诱生缺陷一直是硅材料和集成电路工艺研究的......
在集成电路工艺过程中，金属玷污会对器件的性能有着致命的影响。生产中除了避免金属污染源接触外，还采用吸杂工艺来降低金属杂质。相......
SiC材料由于在高温、高频、尤其是在大功率和高辐射条件下仍有着非常优越的性能,因此被认为是很有潜力的第三代半导体材料;同时,Si......
