【摘 要】
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采用高功率脉冲反应磁控溅射(HiPIMS)在玻璃基底上沉积Al-N共掺氧化锌(ZnO)薄膜,研究氮气(N2)流量对Al-N共掺杂ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌和电学性质的影响。测量结果表明,
【机 构】
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北京印刷学院等离子体物理与材料研究室
【基金项目】
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国家自然基金项目(Grant Nos 11775028,11505013,11605012,11875090);北京市自然基金项目(Grant Nos 4162024);北京市自然基金重点项目(KM201510015009);北京市协同创新项目(No.20160113)
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采用高功率脉冲反应磁控溅射(HiPIMS)在玻璃基底上沉积Al-N共掺氧化锌(ZnO)薄膜,研究氮气(N2)流量对Al-N共掺杂ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌和电学性质的影响。测量结果表明,N2流量对掺杂的ZnO薄膜电导率类型转变和光电性能有很大影响:当N2流量为8 mL/min时,掺杂ZnO薄膜在可见光波段透过率大于85%,薄膜导电类型为n型;随着N2流量的增加,薄膜经历n-p-n型的转变过程。当N2流量为20 mL/min时,掺杂的ZnO结晶性最好,晶体缺陷少、XRD衍射峰半峰宽(FWHM)最小、表面
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